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中国首颗超级IGBT芯片打破技术垄断

发布时间:2019-08-15 16:07:35

  由中国自主研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块,在中国南车株洲所正式亮相,这款超级IGBT芯片代表了中国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。

  该技术此前被国外企业垄断

  IGBT中文名为 绝缘栅双极型晶体管 。此前,高压高功率密度IGBT技术几乎全部被国外少数几家企业垄断,国内还是一片空白,使得中国关键产业发展在很大程度上受制于人。从传统的电力、机械、矿冶,到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业,高压高功率密度的IGBT应用领域广泛,堪称现代功率变流装置的 心脏 和绿色高端产业的 核芯 。

  从2011年开始,中国南车株洲所通过全球性的战略布局,吸纳国际优势研发资源,对该项高端技术进行自主攻关,终于在2012年12月份开发出国内首款从芯片到模块完全自主化的 00伏等级的IGBT芯片,并在此基础上,又成功研制出4500伏、6500伏高功率密度IGBT芯片及其模块。

  国内每年IGBT需求超50亿元

  这款超级IGBT芯片亮相于中国南车株洲所举办的 高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发 项目鉴定会。来自中国科学院、中国工程院的四位院士以及来自中科院微电子所、南京大学、中南大学等科研单位的权威专家一致认为:中国南车株洲所研制的高压高功率密度IGBT系列器件具有耐压高、电流大,功率损耗低、动态性能好等诸多优点,经历了严苛的性能测试和试验考核,而且具有在轨道交通、柔性直流输电等重大工程项目的实际应用业绩。其成果总体技术处于国际领先水平,填补了国内行业空白,实现了中国在高端IGBT技术领域与国际先进水平接轨,具有重大战略意义。

  据悉,目前,中国已成为世界上IGBT产品最大的消费市场,以高速动车组、大功率机车、新能源装备、电为龙头的国内变频产业每年的IGBT需求量超过50亿元,而且每年以15%以上的速度增长。

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